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SIE830DF-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：115nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 15V; 功率_最大：104W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：10-PolarPAK?（S）; 供应商设备封装：10-PolarPAK?（S）; 包装：Digi-Reel®

SIE830DF-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：115nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 15V; 功率_最大：104W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：10-PolarPAK?（S）; 供应商设备封装：10-PolarPAK?（S）; 包装：剪切带 (CT)

SIE830DF-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK; 系列：WFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.2 毫欧 @ 16A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：115nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5500pF @ 15V; 功率_最大：104W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：10-PolarPAK?（S）; 供应商设备封装：10-PolarPAK?（S）; 包装：带卷 (TR)

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陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 33PF 200V 10% NP0 1808
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缓冲器，支脚，焊盘，握把 3M BUMPON ROLL .8MM 9"X72YD BLACK
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DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W