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SIB488DK-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 6.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：725pF @ 6V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：带卷 (TR)

SIB488DK-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 6.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：725pF @ 6V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：剪切带 (CT)

SIB488DK-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 6.3A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：725pF @ 6V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：Digi-Reel®

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SR205E104MAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.1UF 50V 20% RADIAL
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连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS BOX MNT W/PINS
SMG16VB682M20ALL
电容器 United Chemi-Con 径向，Can CAP ALUM 6800UF 16V 20% RADIAL
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陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 180PF 100V 20% RADIAL
MS3106F22-27SZ
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MS27508E12B98A
圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 10POS BOX MNT PIN
SR205E105MAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1UF 50V 20% RADIAL
SR155C682KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 6800PF 50V 10% RADIAL