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SIB419DK-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 5.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11.82nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：562pF @ 6V; 功率_最大：13.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：带卷 (TR)

SIB419DK-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 5.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11.82nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：562pF @ 6V; 功率_最大：13.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：剪切带 (CT)

SIB419DK-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：60 毫欧 @ 5.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：11.82nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：562pF @ 6V; 功率_最大：13.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：Digi-Reel®

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单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 225MW 10V SOT-23-3
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接口 - 驱动器，接收器，收发器 STMicroelectronics 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC DRVR/RCVR RS232 ESD 16-TSSOP
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板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc 868-BGA CONN RCPT .100" 36POS GOLD T/H

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