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SIB408DK-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 15V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：剪切带 (CT)

SIB408DK-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 15V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：带卷 (TR)

SIB408DK-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK SC75-6L; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：9.5nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：350pF @ 15V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-75-6L; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-75-6L 单; 包装：Digi-Reel®

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陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1200PF 100V 5% RADIAL
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MS27508E12B3SC
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SMG160VB4R7M6X11LL
电容器 United Chemi-Con 径向，Can CAP ALUM 4.7UF 160V 20% RADIAL
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陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1500PF 100V 10% RADIAL
MS3106F22-27P
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 9 POS STRAIGHT W/PINS
MS27508E12B8P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 8POS BOX MNT W/PINS
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陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.1UF 50V 20% RADIAL
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