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SIA910EDJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 12V ESD SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫欧 @ 5.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：455pF @ 10V; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双; 包装：Digi-Reel®

SIA910EDJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 12V ESD SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫欧 @ 5.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：455pF @ 10V; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双; 包装：带卷 (TR)

SIA910EDJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 12V ESD SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：28 毫欧 @ 5.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：16nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：455pF @ 10V; 功率_最大：7.8W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双; 包装：剪切带 (CT)

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