SIA533EDJ-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料

SIA533EDJ-T1-GE3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：12V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫欧 @ 4.6A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：420pF @ 6V

功率_最大：7.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双

供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双

包装：带卷 (TR)

SIA533EDJ-T1-GE3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：12V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫欧 @ 4.6A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：420pF @ 6V

功率_最大：7.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双

供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双

包装：Digi-Reel®

SIA533EDJ-T1-GE3详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

系列：TrenchFET®

制造商：Vishay Siliconix

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：12V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：34 毫欧 @ 4.6A，4.5V

Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：15nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：420pF @ 6V

功率_最大：7.8W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6 双

供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 双

包装：剪切带 (CT)