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SIA415DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 5.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 10V; 功率_最大：19W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 单; 包装：带卷 (TR)

SIA415DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 5.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 10V; 功率_最大：19W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 单; 包装：剪切带 (CT)

SIA415DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 5.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：47nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1250pF @ 10V; 功率_最大：19W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 单; 包装：Digi-Reel®

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SR155C222JAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 2200PF 50V 5% RADIAL
T499C476K006ATE1K8
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SR151A391JAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 390PF 100V 5% RADIAL
MS3106F20-23SZ
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 2 POS STRAIGHT W/SCKT
MS27506B10-2
圆形 - 配件 Amphenol Industrial Operations STRAIN RLF SHELL SZ 10 CADMIUM
T499C686K006ATE1K2
钽 Kemet 2312（6032 公制） CAP TANT 68UF 6.3V 10% 2312
SR151A391KAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 390PF 100V 10% RADIAL
SR155C222JARTR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 2200PF 50V 5% RADIAL
SIA419DJ-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6