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SIA406DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 12V SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19.8 毫欧 @ 10.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 6V; 功率_最大：19W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 单; 包装：Digi-Reel®

SIA406DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 12V SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19.8 毫欧 @ 10.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 6V; 功率_最大：19W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 单; 包装：剪切带 (CT)

SIA406DJ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 12V SC-70-6; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：19.8 毫欧 @ 10.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：23nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1380pF @ 6V; 功率_最大：19W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SC-70-6; 供应商设备封装：PowerPAK? SC-70-6 单; 包装：带卷 (TR)

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网络、阵列 Rohm Semiconductor 0804（2010 公制），凸起 RES ARRAY 51 OHM 4 RES 0804
MP6-1D-1F-1L-1D-4LE-00
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MP1-1E-1L-1L-1P-1Q-1Q-1U-00
AC DC 转换器 Emerson Network Power/Embedded Power 34-DIP 模块 MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
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MOC213R2M
光隔离器 - 晶体管，光电输出 Fairchild Optoelectronics Group 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） OPTOCOUPLER PHOTOTRANS 8-SOIC
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