SI9933BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 3.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI9933BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 3.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI9933BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL P-CH 20V 3.6A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:60 毫欧 @ 4.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI9933CDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 4.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 10V
- 功率_最大:3.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI9933CDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 4.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI9933CDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:58 毫欧 @ 4.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:665pF @ 10V
- 功率_最大:2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1000PF 100V 5% RADIAL
- PMIC - 电池管理 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC CONTROLLR LI-ION 4.32V 8SOIC
- RF 收发器 Sagrad Inc 模块 802.11 B/G/N WIRELESS USB MODULE
- 线性 - 音频处理 Texas Instruments 28-SSOP(0.209",5.30mm 宽) IC 192KHZ SAMPL RATE CONV 28SSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 68.1K OHM 1/4W .25% SMD 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3.9PF 50V RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 56.2K OHM 1/8W .5% SMD 0805
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 15000UF 10V 20% SNAP
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 12PF 100V 10% RADIAL
- RF 收发器 Sagrad Inc 模块 RF TXRX WI-FI 802.11 2.45GHZ
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 68.0K OHM 1/4W .25% SMD 1206
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 47PF 50V 10% RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 56.2 OHM 1/8W .5% SMD 0805
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 120PF 100V 5% RADIAL
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can - 卡入式 CAP ALUM 15000UF 16V 20% SNAP