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SI9926BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 8.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.14W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

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SI9926BDY-T1-GE3 深圳市涛能电子科技有限公司 13537790913
Si9926BDY-T1-GE3 上海熠富电子科技有限公司 15821228847 /
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SG-51PH 48.0000MC
振荡器 EPSON 14-DIP，4 引线（全尺寸） OSCILLATOR 48.0000MHZ PDIP
MIC2250YML TR
PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器 Micrel Inc 8-VFDFN 裸露焊盘，8-MLF? IC REG BOOST ADJ 2A 8MLF
SI9926BDY-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET DUAL N-CH 20V 6.2A 8-SOIC
RNF14FTD1M74
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1.74M OHM 1/4W 1% AXIAL
SLP122M200H5P3
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 1200UF 200V 20% SNAP
S1JB-13
单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AA，SMB RECTIFIER GPP SMD 600V 1A SMB
SI3861BDV-T1-GE3
PMIC - 电源分配开关 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
ROV20H560L-S-2
TVS - 变阻器，MOV TE Connectivity 圆盘 20mm VARISTOR 56V 20MM STRAIGHT T/R
SG-51PH 60.0000MC
振荡器 EPSON 14-DIP，4 引线（全尺寸） OSCILLATOR 60.0000MHZ PDIP
RNF14FTD1R00
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES MF 1/4W 1 OHM 1% AXIAL
SLP123M016A5P3
电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向，Can - 卡入式 CAP ALUM 12000UF 16V 20% SNAP
S1JB-13-F
单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AA，SMB RECTIFIER GPP SMD 600V 1A SMB
SI3865BDV-T1-E3
PMIC - 电源分配开关 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6-TSOP
ROV20H680L-2
TVS - 变阻器，MOV TE Connectivity 圆盘 20mm VARISTOR 68V 20MM RADIAL T/R
SG-531P 12.2880MC
振荡器 EPSON 8-DIP，4 引线（半尺寸） OSCILLATOR 12.2880MHZ PDIP

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