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SI8447DB-T2-E1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 10V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-MICRO FOOT?; 供应商设备封装：6-Micro Foot?; 包装：带卷 (TR)

SI8447DB-T2-E1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 10V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-MICRO FOOT?; 供应商设备封装：6-Micro Foot?; 包装：Digi-Reel®

SI8447DB-T2-E1详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：600pF @ 10V; 功率_最大：13W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-MICRO FOOT?; 供应商设备封装：6-Micro Foot?; 包装：剪切带 (CT)

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