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SI7948DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DL 60V PWRPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7948DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DL 60V PWRPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：剪切带 (CT)

SI7948DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH DL 60V PWRPAK 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：75 毫欧 @ 4.6A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：Digi-Reel®

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ST40RP
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LED - 分立式 Lumex Opto/Components Inc 径向 LED T-3MM 605NM AMBER DIFF
STTH200L04TV1
二极管，整流器 STMicroelectronics ISOTOP DIODE ULT FAST 400V ISOTOP
SIGN17X22S
标签，标记 3M PowerPAK? 2x5 SIGN ESD CONTROL AREA 17"X22’
SWS600L-48
AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc POWER SUPPLY 48V SGL OUTPUT
SM-43TB204
微調器 Copal Electronics Inc TRIMMER 200K OHM 0.25W SMD