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SI7866ADP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：2.4 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：125nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5415pF @ 10V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

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SI7858ADP-T1-E3
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氧化铌 AVX Corporation 2917（7343 公制） CAP NIOB OXIDE 220UF 4V 2917
TMS320F28030PAGT
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SCR Powerex Inc TO-200AC，B-PUK SCR PHASE CTRL MOD 1000V 750A
SI786CRG-E3
PMIC - 稳压器 - 线性 + 切换式 Vishay Siliconix 28-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） IC REG QD BUCK/LINEAR 28SSOP

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