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» 型号"SI7846DP-T1-E3"的供应信息
SI7846DP-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
SI7846DP-T1-E3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 150V 4A PPAK 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:150V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
包装:带卷 (TR)
SI7846DP-T1-E3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 150V 4A PPAK 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:150V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
包装:Digi-Reel®
SI7846DP-T1-E3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 150V 4A PPAK 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:150V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:4A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:50 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:36nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
包装:剪切带 (CT)
SI7846DP-T1-E3供应商
SI7846DP-T1-E3
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
SI7846DP-T1-E3
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-88917652
SI7846DP-T1-E3
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
SI7846DP-T1-E3
深圳伟诚铭科技有限公司
0755-66887761
SI7846DP-T1-E3
深圳市欧和宁电子有限公司
0755-29275935
SI7846DP-T1-E3
深圳市集创讯科技有限公司
0755-83244680
SI7846DP-T1-E3
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
SI7846DP-T1-E3
锦迅科技(香港)有限公司
0755-83226745
SI7846DP-T1-E3
深圳市银芯龙科技有限公司
13510131896
SI7846DP-T1-E3
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-88917652
SI7846DP-T1-E3
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
SI7846DP-T1-E3
深圳市鑫远鹏科技有限公司
15112667855
SI7846DP-T1-E3
深圳市芯泽盛世科技有限公司
0755-89697985
SI7846DP-T1-E3
深圳市创芯联盈电子有限公司
0755-88291559
SI7846DP-T1-E3 IC
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
SI7846DP-T1-E3
深圳市华斯顿电子科技有限公司
0755-83777708
查看更多SI7846DP-T1-E3的供应商
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