SI7748DP-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料

SI7748DP-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 50A PPAK 8SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫欧 @ 15A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：92nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V

功率_最大：56W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SO-8

供应商设备封装：PowerPAK? SO-8

包装：剪切带 (CT)

SI7748DP-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 50A PPAK 8SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫欧 @ 15A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：92nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V

功率_最大：56W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SO-8

供应商设备封装：PowerPAK? SO-8

包装：Digi-Reel®

SI7748DP-T1-GE3详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 30V 50A PPAK 8SOIC

系列：-

制造商：Vishay Siliconix

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：标准

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.8 毫欧 @ 15A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：92nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：3770pF @ 15V

功率_最大：56W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerPAK? SO-8

供应商设备封装：PowerPAK? SO-8

包装：带卷 (TR)