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当前位置:网站首页 » 库存索引190 » 型号"SI7460DP-T1-E3"的供应信息

SI7460DP-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料

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SI7460DP-T1-E3详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫欧 @ 18A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
包装:剪切带 (CT)

SI7460DP-T1-E3详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫欧 @ 18A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
包装:Digi-Reel®

SI7460DP-T1-E3详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 11A PPAK 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:11A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.6 毫欧 @ 18A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:100nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? SO-8
供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
包装:带卷 (TR)

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