SI7456DP-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI7456DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 9.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7456DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 9.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7456DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 9.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7456DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 9.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7456DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 9.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7456DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 9.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:44nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
- RF 评估和开发套件,板 Skyworks Solutions Inc 6-XFDFN 裸露焊盘 EVAL BOARD FOR SKY13348-374LF
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 100V 8-SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 200W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1808(4520 公制) CAP CER 91PF 630V 10% NP0 1808
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1812(4532 公制) CAP CER 51PF 200V 10% NP0 1812
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W
- RF 开关 Skyworks Solutions Inc 12-VFQFN 裸露焊盘 IC SWITCH DPDT 6GHZ 12QFN
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 5.8V 200W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 150W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1808(4520 公制) CAP CER 100PF 250V 20% X7R 1808
- RF 评估和开发套件,板 Skyworks Solutions Inc 12-VFQFN 裸露焊盘 EVAL BOARD FOR SKY13353
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1812(4532 公制) CAP CER 51PF 2KV 10% NP0 1812
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 48V 75W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 100W