SI7450DP-T 全国供应商、价格、PDF资料
SI7450DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7450DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7450DP-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7450DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7450DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7450DP-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK 8SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:80 毫欧 @ 4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:42nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8
- 包装:剪切带 (CT)
- 板至板 - 接头,插座,母插口 Samtec Inc 868-BGA CONN RCPT .100" 5POS GOLD T/H
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 8.45 OHM 2W 1% WW 4124
- TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-214AA,SMB TVS ZENER 600W 28V SMB
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
- 单二极管/整流器 Vishay Semiconductors TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 DIODE SCHOTTKY 45V 10A D-PAK
- FET - 单 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 4A 8-SOIC
- 矩形 - 外壳 Sullins Connector Solutions 径向 CONN RECEPT 1.25MM 11POS
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 976 OHM 2W 1% WW 4124
- 单二极管/整流器 STMicroelectronics TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK
- 矩形 - 外壳 Sullins Connector Solutions 径向 CONN RCPT 2.0MM SNGL WHITE 6POS
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET N-CH 190V 950MA SC70-6
- FET - 阵列 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
- TVS - 二极管 ON Semiconductor DO-214AA,SMB TVS ZENER 3W 3.3V SMB
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 0.169 OHM 2W 1% WW 4124