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SI7421DN-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 1212-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫欧 @ 9.8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：40nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8; 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8; 包装：带卷 (TR)

SI7421DN-T1-GE3供应商

SHC-134
线夹和夹具 Richco Plastic Co 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） CLAMP SNAP-IT 2.125-2.375"
RTEN-5150
线路滤波器 TDK-Lambda Americas Inc 径向 EMI FILTER 500VAC 150A SCREW TER
SI7421DN-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 30V 6.4A 1212-8
RT0402DRD0713R7L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 13.7 OHM 1/16W .5% SMD 0402
SR151A471KAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL
SQCAEM0R6BAJWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 0.6PF 150V 0605
SI4628DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH SCHOTTKY 30V 8SOIC
RT0805CRD0756R2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 56.2 OHM 1/8W .25% SMD 0805
RTF020P02TL
FET - 单 Rohm Semiconductor 3-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3
RT0402DRD07143RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 143 OHM 1/16W .5% SMD 0402
SR151A471KAT
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL
SQCAEM0R6CAJWE
陶瓷 AVX Corporation 0605（1613 公制） CAP CER 0.6PF 150V 0605
SI4628DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH/SCHOTTKY 30V 8SOIC
RT0805CRD07619KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 619K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SHC-56
线夹和夹具 Richco Plastic Co 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） CLAMP SNAP-IT .875-1.000"

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