SI7414DN-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI7414DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 8.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7414DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 8.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7414DN-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 8.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:带卷 (TR)
SI7414DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 8.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:剪切带 (CT)
SI7414DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 8.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:Digi-Reel®
SI7414DN-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 8.7A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
- 包装:带卷 (TR)
- TVS - 二极管 Bourns Inc. DO-214AC,SMA DIODE TVS 120V 400W UNI 5% SMD
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 47UF 400V 20% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 60V 5.6A 1212-8
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS .156 WW
- LED- 高亮度电源模块 Luminus Devices Inc Hockey Puck BIG CHIP LED HB MODULE WHITE
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 3.74K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AC,SMA TVS UNIDIRECT 400W 120V SMA
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH D-S 40V 8-SOIC
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 30POS DIP .156 SLD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 3.83K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 8V CHIPFET 1206-8
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC,SMA TVS UNIDIR 300W 120V 5% SMA
- LED- 高亮度电源模块 Luminus Devices Inc Hockey Puck BIG CHIP LED HB MODULE WHITE