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SI7356ADP-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：145nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：6215pF @ 15V; 功率_最大：83W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

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FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
RNF14BAE40K7
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 40.7K OHM 1/4W .1% AXIAL
SI7342DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
RNCP0603FTD604R
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 604 OHM 1% 0603 SMD
RNCF1206BKC2K94
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 2.94K OHM 1/8W 0.1% 1206
RNF12FTC40K2
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 40.2K OHM 1/2W 1% AXIAL
SD8328-3R3-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 3.3UH SMD
SI4686DY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
RNF14BAE43K2
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 43.2K OHM 1/4W .1% AXIAL
RNCP0603FTD6K04
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 6.04K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
RNCF1206BKC316K
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206（3216 公制） RES 316K OHM 1/8W 0.1% 1206
RNF12FTC422R
通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 422 OHM 1/2W 1% AXIAL
SD8328-4R7-R
固定式 Cooper Bussmann 非标准 INDUCTOR SHIELDED 4.7UH SMD
SI4688DY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC