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SI7149DP-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：50A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.2 毫欧 @ 15A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：147nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4590pF @ 15V; 功率_最大：69W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? SO-8; 供应商设备封装：PowerPAK? SO-8; 包装：带卷 (TR)

SI7149DP-T1-GE3供应商

SI5375-EVB
评估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 80-LBGA BOARD EVAL FOR SI5375
RYM08DTAN-S664
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD
SI4362BDY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI7143DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
SSQ-145-01-S-D
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 90POS DUAL GOLD
SRF1280-151M
阵列，信号变压器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 150UH SMD
SMA6T12CAY
TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TRANSIL 600W 12V BIDIR SMA
SI5402BDC-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8
RYM08DTBD-S189
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS R/A .156 SLD
SRF1280-220M
阵列，信号变压器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 22UH SMD
SSQ-145-03-T-D
矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 90POS DUAL TIN
SMA6T15AY
TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TRANSIL 600W 15V UNIDIR SMA
SI4388DY-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET DUAL N-CH 30V 8-SOIC
SRF1280-221M
阵列，信号变压器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 220UH SMD
SI7159DP-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET P-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

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