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» 型号"SI7120ADN-T1-GE3"的供应信息
SI7120ADN-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
SI7120ADN-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 9.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:带卷 (TR)
SI7120ADN-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 9.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:Digi-Reel®
SI7120ADN-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 60V 1212-8 PPAK
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:6A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 9.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:45nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装:PowerPAK? 1212-8
包装:剪切带 (CT)
SI7120ADN-T1-GE3供应商
SI7120ADN-T1-GE3
深圳市裕坤生电子科技有限公司
13410665908
SI7120ADN-T1-GE3
深圳市川蓝电子科技有限公司
0755-82522939
SI7120ADN-T1-GE3
瀚佳科技(深圳)有限公司
0755-23140719
SI7120ADN-T1-GE3
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
SI7120ADN-T1-GE3
深圳市俊晖半导体有限公司
13410941925
SI7120ADN-T1-GE3
深圳市银芯龙科技有限公司
13510131896
SI7120ADN-T1-GE3
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-88917652
SI7120ADN-T1-GE3
深圳市金嘉锐电子有限公司
0755-22929859
SI7120ADN-T1-GE3
深圳市格雷迪电子有限公司
15914072177
SI7120ADN-T1-GE3
深圳宇邦高科技有限公司
15899765957 1
SI7120ADN-T1-GE3
深圳市芯泽盛世科技有限公司
0755-89697985
Si7120ADN-T1-GE3
深圳市创芯联盈电子有限公司
0755-88291559
SI7120ADN-T1-GE3
深圳市诺洋电子科技有限公司
0755-83223003
SI7120ADN-T1-GE3
深圳市华斯顿电子科技有限公司
0755-83777708
SI7120ADN-T1-GE3
深圳市金芯阳科技有限公司
075584505750
SI7120ADN-T1-GE3
深圳诚思涵科技有限公司
0755-83015506
查看更多SI7120ADN-T1-GE3的供应商
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VI-B4P-MU-F2
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