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SI6967DQ 全国供应商、价格、PDF资料

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SI6967DQ-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET P-CH DUAL G-S 8V 8TSSOP
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:8V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 5A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-TSSOP
包装:带卷 (TR)

SI6967DQ-T1-GE3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET P-CH DUAL G-S 8V 8TSSOP
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:8V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 5A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:40nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-TSSOP
包装:带卷 (TR)

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