SI6954ADQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6954ADQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI6954ADQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI6954ADQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6954ADQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI6954ADQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:53 毫欧 @ 3.4A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:16nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 05VIN +/-15VOUT
- 压力 Honeywell Sensing and Control 8-DIP(0.525",13.35mm),双端口,同侧 SENSOR PRES .1BAR GAUG 5V DIP
- 微調器 Copal Electronics Inc TRIMMER 500 OHM 0.25W SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 392K OHM 1% 1206 TF
- 标记 TE Connectivity TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 WIRE & CABLE MARKERS
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK 32PT NPN INPUTS
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 05VIN +/-15VOUT
- PMIC - 稳压器 - 线性 STMicroelectronics 6-VDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.5V 1A DFN-6D
- 压力 Honeywell Sensing and Control 8-SMD,顶部端口 SENSOR PRES 1PSI GAUG 5V SMD
- 标记 TE Connectivity TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 WIRE & CABLE MARKERS
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 392K OHM 1% 1206 TF
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TERM BLOCK 16PT NPN INPUT
- PMIC - 稳压器 - 线性 STMicroelectronics 6-VDFN 裸露焊盘 IC REG LDO 2.5V 1.3A 6-DFN
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 05VIN +/-15VOUT
- 微調器 Copal Electronics Inc TRIMMER 10K OHM 0.25W SMD