SI6926ADQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6926ADQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI6926ADQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 20V 4.1A 8TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI6926ADQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI6926ADQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI6926ADQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:10.5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 12.0K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- 热缩管 TE Connectivity 2010(5025 公制) HEAT SHRINK TUBING
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET DL N-CH 20V 4.5A 8-TSSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 16.9 OHM 1/16W .25% SMD 0402
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 12VIN +/-12VOUT
- 传感器电缆 - 配件 Conxall/Switchcraft MINI-MZR SHLD PIN STR SGL END
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 12.4 OHM 1/8W .25% SMD 0805
- 热缩管 TE Connectivity 2010(5025 公制) HEAT SHRINK TUBING
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc BOARD EVALUATION FOR SI4210
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402(1005 公制) RES 178 OHM 1/16W .25% SMD 0402
- DC DC Converters Recom Power 10-DIP SMD 模块(6 引线) CONV DC/DC 2W 12VIN +/-15VOUT
- 电容器 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 径向,Can CAP ALUM 22UF 250V 20% RADIAL
- 热缩管 TE Connectivity 2010(5025 公制) HEAT SHRINK TUBING
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805(2012 公制) RES 137K OHM 1/8W .25% SMD 0805
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc BOARD RADIO INTRFC FOR SI4210