SI6913DQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 5.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI6913DQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 5.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI6913DQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH DUAL 12V 4.9A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 5.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6913DQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 5.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI6913DQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 5.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI6913DQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:21 毫欧 @ 5.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):900mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:28nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:830mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156
- TVS - 二极管 Diodes Inc DO-214AC,SMA TVS UNIDIRECT 400W 150V SMA
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH D-S 12V 8-TSSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 78.7K OHM 1/4W .5% SMD 1206
- RF 放大器 Microchip Technology 12-UFQFN 裸露焊盘 IC RF PWR AMP 802.11A/N 12UQFN
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
- 接口 - 电信 Silicon Laboratories Inc IC PROSLIC FXS WIDEB -110V 60QFN
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH 40V 18A 1212-8
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 44POS R/A .156
- RF 放大器 Microchip Technology 12-UFQFN 裸露焊盘 IC RF PWR AMP 802.11A/N 12UQFN
- 芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206(3216 公制) RES 78.7 OHM 1/4W .5% SMD 1206
- 模块 - 带磁性元件的插座 Stewart Connector 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) CONN MAGJACK 1PT 10/100BTX G/G
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH D-S 30V 1212-8 PPAK
- 接口 - 电信 Silicon Laboratories Inc 38-VFQFN 裸露焊盘 IC SLIC PROG 1-CH 38QFN
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 48POS .156 WW