SI6562CDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.7A,6.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 5.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:850pF @ 10V
- 功率_最大:1.6W,1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI6562CDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.7A,6.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 5.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:850pF @ 10V
- 功率_最大:1.6W,1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI6562CDQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.7A,6.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 5.7A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:23nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:850pF @ 10V
- 功率_最大:1.6W,1.7W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6562DQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A,3.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:Digi-Reel®
SI6562DQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A,3.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:剪切带 (CT)
SI6562DQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.5A,3.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:30 毫欧 @ 4.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.022UF 50V 10% RADIAL
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 28POS WALL MT PINS
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 19 POS WALL MNT W/PINS
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 390PF 100V 10% RADIAL
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 3 POS STRAIGHT W/SCKT
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.022UF 50V 20% RADIAL
- 钽 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 33UF 4V 10% 1411
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 32POS WALL MNT W/SCKT
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3.6PF 100V RADIAL
- 圆形 - 外壳 Amphenol Industrial Operations CONN HSG RCPT 32POS WALL MT SCKT
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN PLUG 3 POS STRAIGHT W/SCKT
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 3900PF 50V 10% RADIAL
- 钽 Kemet 1411(3528 公制) CAP TANT 150UF 4V 10% 1411
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 8 POS WALL MNT W/SCKT