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SI6467BDQ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 450µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.05W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

SI6467BDQ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 450µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.05W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

SI6467BDQ-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12.5 毫欧 @ 8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：850mV @ 450µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.05W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）; 供应商设备封装：8-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

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