SI6413DQ-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 8.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):800mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
SI6413DQ-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:10 毫欧 @ 8.8A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):800mV @ 400µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:105nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.05W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商设备封装:8-TSSOP
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 14K OHM 1/8W 0.5% 1206
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS SKT 72"
- 接口 - 电信 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP(0.173",4.40mm 宽) IC SLIC/CODEC 1CH 38TSSOP
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP
- 评估演示板和套件 Texas Instruments 非标准 BOARD EVAL FOR LMH0384
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 15K OHM 1% AXIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
- 固定式 Signal Transformer 非标准 INDUCTOR SMD 6.8UH 1.68A 1KHZ
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 1206(3216 公制) RES 1.21K OHM 1/8W 0.5% 1206
- 接口 - 电信 Silicon Laboratories Inc 42-WFQFN 裸露焊盘 IC PROSLIC FXS -110V 42QFN
- 光学 - 光电检测器 - 光电二极管 Advanced Photonix Inc TO-8 密封 PHOTODIODE BI-CELL TO-8
- 通孔电阻器 Stackpole Electronics Inc 轴向 RES 1/8W 1.21K OHM 1% AXIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
- 独立编程器 Freescale Semiconductor 非标准 ENHANCED VERSION
- D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS SKT SOLDER CUP