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SI5947DU-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? CHIPFET? 双; 供应商设备封装：PowerPAK? ChipFet 双; 包装：Digi-Reel®

SI5947DU-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? CHIPFET? 双; 供应商设备封装：PowerPAK? ChipFet 双; 包装：带卷 (TR)

SI5947DU-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 20V 6A 8PWRPAK; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V; 功率_最大：2.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? CHIPFET? 双; 供应商设备封装：PowerPAK? ChipFet 双; 包装：剪切带 (CT)

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MDM-37PH027P
D-Sub ITT Cannon MICRO 37POS PIN 3"
SD2931
RF FET STMicroelectronics M244 IC TRANS RF PWR HF/VHF/UHF M244
RNF-150-1/2-9-SP
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RT0805CRE0723K2L
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SI4164DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC