SI5915DC-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 3.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:带卷 (TR)
SI5915DC-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 P 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.4A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:70 毫欧 @ 3.4A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 1.02K OHM 1/8W 0.1% 0805
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-DIP(0.300",7.62mm) IC MOSFET DRIVER 9A INV 8DIP
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 3.00K OHM 1/10W 0.1% 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402(1005 公制) RES 76.8 OHM 1/16W 0.1% 0402
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET DUAL N-CH 20V 4.4A 1206-8
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 909K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 1.21K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 3.16K OHM 1/10W 0.1% 0603
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 8-SOIC(0.209",5.30mm 宽) IC MOSFET DVR 9A HS INV 8-SOIJ
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 909K OHM 1/8W 0.1% 0805
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关 Microchip Technology 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 3.32K OHM 1/10W 0.1% 0603
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 1.27K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 钽 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 68UF 4V 20% 2910
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET DUAL N-CH 8V 4A 1206-8