添加收藏夹 设为首页 深圳服务热线:13751165337  0755-83030533 网站地图|企业名录|IC详细资料|热门库存|Pdf资料

51电子网Log图片

IC供应PDF资料非IC供应

51电子网联系电话:13751165337

当前位置:网站首页 » 库存索引147 » 型号"SI5904DC-T1"的供应信息

SI5904DC-T1 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
按地区:全部 | 广东 | 深圳 | 汕头 | 上海 | 北京 | 浙江 | 陕西 | 山东 | 江苏 | 深圳外

SI5904DC-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
包装:剪切带 (CT)

SI5904DC-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
包装:带卷 (TR)

SI5904DC-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
包装:Digi-Reel®

SI5904DC-T1-GE3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH 20V 1206-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
包装:带卷 (TR)

SI5904DC-T1-GE3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH 20V 1206-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
包装:Digi-Reel®

SI5904DC-T1-GE3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET N-CH 20V 1206-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:20V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.1A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:75 毫欧 @ 3.1A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:6nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
包装:剪切带 (CT)

SI5904DC-T1供应商

查看更多SI5904DC-T1的供应商
把51电子网设为首页      把51电子网加入收藏夹
关于我们 | 会员收费标准 | 广告服务 | 付款方式 | 友情链接 | 网站地图 | 联系我们 | 免责声明
库存上载:service@51dzw.com   
版权所有:51dzw.COM 粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn) 服务热线(深圳):+86-0755-83030533 13751165337 传真:0755-83035052 投诉电话:0755-83030533