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SI5857DU-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V; 功率_最大：10.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? CHIPFET? 双; 供应商设备封装：PowerPAK? ChipFet 双; 包装：剪切带 (CT)

SI5857DU-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V; 功率_最大：10.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? CHIPFET? 双; 供应商设备封装：PowerPAK? ChipFet 双; 包装：带卷 (TR)

SI5857DU-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：二极管（隔离式）; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：58 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：480pF @ 10V; 功率_最大：10.4W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：PowerPAK? CHIPFET? 双; 供应商设备封装：PowerPAK? ChipFet 双; 包装：Digi-Reel®

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芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 37.4K OHM 1/8W .1% SMD 0805
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芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 30.0 OHM 1/4W .1% SMD 1206
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板至板 - 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 54POS DUAL TIN