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SI5509DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.1A，4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：52 毫欧 @ 5A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.6nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：455pF @ 10V; 功率_最大：4.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

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DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块（4 引线） CONV DC/DC 1W 05VIN 15VOUT
SCM191000
接线板 - 线至板 Amphenol PCD CONN TERM BLK 19POS 5.08MM R/A
RNCP0603FTD681R
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 0603（1608 公制） RES 681 OHM 1% 0603 SMD
RNF-100-1-1/2-BU-STK
热缩管 TE Connectivity 轴向 HEAT SHRINK TUBING
SDP-FPGA-FA1Z
配件 Analog Devices Inc 径向，3 引线，侧视图 BOARD SDP SYSTEM FUNCTION
MFR-25FRF-2K21
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 2.21KOHM 1/4W 1% METLFLM T/R
RP-0524D
DC DC Converters Recom Power 7-SIP 模块（5 引线） CONV DC/DC 1W 05VIN +/-24VOUT