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SI5486DU-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK CHIPFET; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 7.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2100pF @ 10V; 功率_最大：31W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerPak? CHIPFET?; 供应商设备封装：8-PowerPak? ChipFet; 包装：Digi-Reel®

SI5486DU-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK CHIPFET; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 7.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2100pF @ 10V; 功率_最大：31W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerPak? CHIPFET?; 供应商设备封装：8-PowerPak? ChipFet; 包装：剪切带 (CT)

SI5486DU-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK CHIPFET; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15 毫欧 @ 7.7A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：54nC @ 8V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：2100pF @ 10V; 功率_最大：31W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerPak? CHIPFET?; 供应商设备封装：8-PowerPak? ChipFet; 包装：带卷 (TR)

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标签，标记 3M (TC) LABEL 3X2" BLACK ON RED 50/PK
VI-B4P-MW-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 13.8V 100W
VI-B53-EW-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 24V 100W
SIN-61T-2.6S
端子 - 导线至电路板 JST Sales America Inc 80-TQFP CONN TERM CRIMP 14AWG TIN
SI5504DC-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
VI-B3B-CV-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 95V 150W
VI-BN1-CY-F2
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 12V 50W