SI5443DC-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 3.6A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:带卷 (TR)
SI5443DC-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:20V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:3.6A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:65 毫欧 @ 3.6A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):600mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:14nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:带卷 (TR)
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402(1005 公制) RES 62.6 OHM 1/16W 0.1% 0402
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 15.0K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 钽 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 10UF 20V 10% 2910
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 69.8K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 2.15K OHM 1/10W 0.1% 0603
- 微調器 Bourns Inc. TRIMMER 100 OHM 0.1W SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402(1005 公制) RES 634 OHM 1/16W 0.1% 0402
- 钽 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 10UF 25V 10% 2910
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 6.34K OHM 1/8W 0.1% 0805
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603(1608 公制) RES 2.32K OHM 1/10W 0.1% 0603
- 微調器 Bourns Inc. TRIMMER 2K OHM 0.1W SMD
- 芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805(2012 公制) RES 160 OHM 1/8W 0.1% 0805
- 钽 Vishay Sprague 2910(7227 公制) CAP TANT 10UF 25V 10% 2910
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8