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SI5443DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：65 毫欧 @ 3.6A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

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TNPW080515K0BEEA
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T95Y106K020LZSL
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SI5441BDC-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
TNPW080569K8BETA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 69.8K OHM 1/8W 0.1% 0805
TNPW06032K15BEEA
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TC33X-2-101E
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TNPW0402634RBEED
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0402（1005 公制） RES 634 OHM 1/16W 0.1% 0402
T95Y106K025ESAL
钽 Vishay Sprague 2910（7227 公制） CAP TANT 10UF 25V 10% 2910
TNPW08056K34BEEA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 6.34K OHM 1/8W 0.1% 0805
TNPW06032K32BETA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0603（1608 公制） RES 2.32K OHM 1/10W 0.1% 0603
TC33X-2-202E
微調器 Bourns Inc. TRIMMER 2K OHM 0.1W SMD
TNPW0805160RBEEA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 0805（2012 公制） RES 160 OHM 1/8W 0.1% 0805
T95Y106K025HSSL
钽 Vishay Sprague 2910（7227 公制） CAP TANT 10UF 25V 10% 2910
SI5445BDC-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8