SI5406DC-T1-GE3的供应信息|PDF资料|求购SI5406DC-T1-GE3上51电子网

SI5406DC-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 6.9A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：600mV @ 1.2mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：1206-8 ChipFET?; 包装：带卷 (TR)

SI5406DC-T1-GE3供应商

查看更多SI5406DC-T1-GE3的供应商

SI7958DP-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC
SI5404BDC-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD，扁平引线 MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
SR155C333KARTR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.033UF 50V 10% RADIAL
RW2-1205D/H2
DC DC Converters Recom Power 16-DIP 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 9-18VIN +/-05VOUT
RT0805DRE0713KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 13.0K OHM 1/8W .5% SMD 0805
SLL-06H
配件 Omron Electronics Inc-EMC Div INCANDESCNT LAMP FOR M2P INDICTR
RT0805CRE0719R6L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 19.6 OHM 1/8W .25% SMD 0805
RTW0530R
AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc SC-70，SOT-323 POWER SUPPLY IND 5V 30A 150W
SI7960DP-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC
RW2-1205D/H2/SMD
DC DC Converters Recom Power 16-DIP SMD 模块（6 引线） CONV DC/DC 2W 9-18VIN +/-05VOUT
RT0805CRE071K2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 1.20K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SLL-12EG
配件 Omron Electronics Inc-EMC Div LED LAMP 12V GRN FOR M2P INDICTR
RT0805DRE07143RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 143 OHM 1/8W .5% SMD 0805
RTW1212R
AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc SC-70，SOT-323 POWER SUPPLY IND 12V 12.5A 150W
SI7960DP-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC