SI5402DC-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI5402DC-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 4.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:带卷 (TR)
SI5402DC-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:4.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:35 毫欧 @ 4.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
- 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
- 包装:带卷 (TR)
- 端子 - 环形 Panduit Corp DO-214AA,SMB TERM RING TUBE N INS 2AWG 1/2
- 陶瓷 Murata Electronics North America 径向 CAP CER 220PF 100V 10% RADIAL
- 评估演示板和套件 Silicon Laboratories Inc 100-TQFP BOARD EVAL FOR SI5367/68
- 拨动开关 NKK Switches 模块 SW TOGGLE DPST 15A QUICK CONNECT
- DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模块(4 引线) CONV DC/DC 1W 15VIN 3.3VOUT
- 时钟/计时 - 时钟发生器,PLL,频率合成器 Silicon Laboratories Inc 80-LBGA IC CLK GEN/JITTER ATTEN 80PBGA
- 陶瓷 Murata Electronics North America 径向 CAP CER 220PF 100V 10% RADIAL
- 拨动开关 NKK Switches 模块 SW TOGGLE DPST 5A SOLDER LUG
- DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模块(4 引线) CONV DC/DC 1W SGL 5V OUT DIP6
- 陶瓷 Murata Electronics North America 径向 CAP CER 0.22UF 100V 10% RADIAL
- 光隔离器 - 三端双向可控硅,SCR输出 Sharp Microelectronics 6-SMD PHOTOCOUPL 420VAC .1A TRIAC 6SMD
- DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模块(4 引线) CONV DC/DC 1W 3.3VIN 05VOUT
- PMIC - 稳压器 - 线性 Richtek USA Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 IC REG LDO 2.5V .3A SOT23-3
- 陶瓷 Murata Electronics North America 径向 CAP CER 2.2UF 100V 10% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8