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SI4925BDY 全国供应商、价格、PDF资料

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SI4925BDY-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 5.3A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 7.1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)

SI4925BDY-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 5.3A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 7.1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:Digi-Reel®

SI4925BDY-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 5.3A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 7.1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)

SI4925BDY-T1-GE3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 7.1A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)

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