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SI4834 全国供应商、价格、PDF资料

型号:厂商:批号:封装:
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SI4834-A20-GU详细规格

类别:RF 接收器
描述:IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM/SW
系列:-
制造商:Silicon Laboratories Inc
频率:
灵敏度:
数据传输率_最大:
调制或协议:
应用:
电流_接收:
数据接口:
存储容量:
天线连接器:
特点:
电源电压:
工作温度:
封装/外壳:
供应商设备封装:
包装:

SI4834BDY-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)

SI4834BDY-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:Digi-Reel®

SI4834BDY-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)

SI4834BDY-T1-GE3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)

SI4834CDY-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 N 沟道(双)
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:950pF @ 15V
功率_最大:2.9W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)

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