SI4834-A20-GU详细规格
- 类别:RF 接收器
- 描述:IC RADIO RX MECHANICAL AM/FM/SW
- 系列:-
- 制造商:Silicon Laboratories Inc
- 频率:
- 灵敏度:
- 数据传输率_最大:
- 调制或协议:
- 应用:
- 电流_接收:
- 数据接口:
- 存储容量:
- 天线连接器:
- 特点:
- 电源电压:
- 工作温度:
- 封装/外壳:
- 供应商设备封装:
- 包装:
SI4834BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4834BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4834BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4834BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 7.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.1W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4834CDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:8A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:20 毫欧 @ 8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:25nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:950pF @ 15V
- 功率_最大:2.9W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 75W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 BusMod CONVERTER MOD DC/DC 10V 25W
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 30W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 50W
- 支架 - 元件 Bud Industries 径向,Can SHELF NON VENTILATED STATIONARY
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1210(3225 公制) CAP CER 1500PF 100V 5% NP0 1210
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 5.5V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 2V 20W
- 支架 - 元件 Bud Industries 径向,Can SHELF NON VENTILATED SLIDING
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 200W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1210(3225 公制) CAP CER 1500PF 100V 10% NP0 1210
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 5.2V 200W