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» 型号"SI4812BDY-T1-E3"的供应信息
SI4812BDY-T1-E3 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
SI4812BDY-T1-E3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 9.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
SI4812BDY-T1-E3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 9.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)
SI4812BDY-T1-E3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 9.5A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.4W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:Digi-Reel®
SI4812BDY-T1-E3供应商
SI4812BDY-T1-E3
深圳市聚正电子有限公司
0755-82718252
SI4812BDY-T1-E3
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-82569753
SI4812BDY-T1-E3
深圳市科翼源电子有限公司
15507540751
SI4812BDY-T1-E3
深圳市芯脉实业有限公司
19166203057
SI4812BDY-T1-E3
桂阳亿创电子有限公司
19974215967
SI4812BDY-T1-E3
深圳市宇明芯科技有限公司
0755-83051566
SI4812BDY-T1-E3
深圳市芯脉实业有限公司
0755-84507690
SI4812BDY-T1-E3
现代芯城(深圳)科技有限公司
0755-82542579
SI4812BDY-T1-E3
北京元坤国际科技有限公司
010-62962871、
SI4812BDY-T1-E3
深圳市百域芯科技有限公司
400-666-5385
SI4812BDY-T1-E3
深圳市华睿芯科技有限公司
0755-23914326
SI4812BDY-T1-E3
深圳市聚正电子有限公司
0755-82718252
SI4812BDY-T1-E3
深圳市恒达亿科技有限公司
0755-82723761
SI4812BDY-T1-E3
深圳市楷瑞达科技电子有限公司
13528893675
SI4812BDY-T1-E3
深圳市菲悦电子科技有限公司
0755-82951790
SI4812BDY-T1-E3
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
查看更多SI4812BDY-T1-E3的供应商
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