SI4812BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 9.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4812BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 9.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4812BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:7.3A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 9.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4812BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 9.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4812BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 9.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4812BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:16 毫欧 @ 9.5A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON GREEN 50/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 40V 47A PPAK 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.15UF 50V 20% RADIAL
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YELLOW 50/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 1.9PF 150V 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 180PF 300V 5% 1111
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.22UF 50V 20% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 20PF 150V 5% 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 180PF 300V 5% 1111
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC