SI4800,518详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 9A SOT96-1
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):800mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:11.8nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SO
- 包装:带卷 (TR)
SI4800BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4800BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4800BDY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4800BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4800BDY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.5A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18.5 毫欧 @ 9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:13nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTNG BRAKT BOTTOM FOR S82G-30
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRKT A BOTTOM 15/30/50W
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 25V 8-SOIC
- PMIC - 照明,镇流器控制器 Micrel Inc 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC DRIVER LN 220VP-P EL 8-MSOP
- 单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AB,SMC RECTIFIER GPP SMD 400V 3A SMC
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 6227 J 形引线 RES 0.36 OHM 3W 5% WW 6227
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 40V 50A PPAK 8SOIC
- 圆形 - 配件 Bulgin TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 CONN TERM INSERT 6POS PIN SCREW
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTNG BRAKT BOTTOM FOR S82G-30
- PMIC - 稳压器 - 线性 Micrel Inc 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC REG LDO 1.2V 1.5A 8-MSOP
- 单二极管/整流器 Diodes Inc DO-214AA,SMB RECTIFIER GPP 400V 3A SMB
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA,SMB TRANSIL 600W 27V UNIDIR AUTO SMB
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
- 圆形 - 触点 Bulgin DO-204AC,DO-15,轴向 CONT PIN 8A CRMP 20-24AWG 1=10PC
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div UNDERVOLTAGE ALARM OUT WIRE CB