SI4686DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 13.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
- 功率_最大:5.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4686DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 13.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
- 功率_最大:5.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4686DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 13.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
- 功率_最大:5.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4686DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 13.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
- 功率_最大:5.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4686DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 13.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
- 功率_最大:5.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4686DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
- 系列:-
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:18.2A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 13.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
- 功率_最大:5.2W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 100W
- 陶瓷 Vishay BC Components 0402(1005 公制) CAP CER 1.2PF 50V NP0 0402
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针法兰半砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W
- FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1206(3216 公制) CAP CER 5600PF 50V 10% X7R 1206
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1206(3216 公制) CAP CER 15PF 1KV 10% NP0 1206
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-SOJ,5.08mm 间距 OSCILLATOR CMOS PROG 5V ST SMD
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 100W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 50W
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1206(3216 公制) CAP CER 0.056UF 50V 5% X7R 1206
- 陶瓷 Vishay Vitramon 1206(3216 公制) CAP CER 150PF 500V 10% NP0 1206
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 4-SOJ,5.08mm 间距 OSCILLATOR TTL PROG 5V ST SMD
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 52V 75W