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» 型号"SI4686DY-T1-GE3"的供应信息
SI4686DY-T1-GE3 全国供应商、价格、PDF资料
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深圳外
SI4686DY-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:18.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 13.8A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
功率_最大:5.2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:带卷 (TR)
SI4686DY-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:18.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 13.8A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
功率_最大:5.2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:Digi-Reel®
SI4686DY-T1-GE3详细规格
类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 18.2A 8-SOIC
系列:-
制造商:Vishay Siliconix
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:标准
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:18.2A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:9.5 毫欧 @ 13.8A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:26nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:1220pF @ 15V
功率_最大:5.2W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装:8-SOIC N
包装:剪切带 (CT)
SI4686DY-T1-GE3供应商
SI4686DY-T1-GE3
深圳市聚正电子有限公司
0755-82718252
SI4686DY-T1-GE3
深圳市菲悦电子科技有限公司
0755-82951790
Si4686DY-T1-GE3
深圳市向鸿伟业电子有限公司
0755-82561519
SI4686DY-T1-GE3
清晨半导体(深圳)有限公司
15767171023
SI4686DY-T1-GE3
深圳市裕硕科技有限公司
0755-82767795
SI4686DY-T1-GE3 MOSFETIGBTIC
深圳市科恒伟业电子有限公司
0755-88917652
SI4686DY-T1-GE3
深圳市科翼源电子有限公司
15507540751
SI4686DY-T1-GE3
桂阳亿创电子有限公司
19974215967
SI4686DY-T1-GE3
深圳市金亿泰电子有限公司
755-83252273
SI4686DY-T1-GE3
深圳市鸿鑫格电子科技有限公司
18674491576
SI4686DY-T1-GE3
深圳市芯脉实业有限公司
0755-84507690
SI4686DY-T1-GE3
深圳市旺财半导体有限公司
83209217
Si4686DY-T1-GE3
现代芯城(深圳)科技有限公司
0755-82542579
SI4686DY-T1-GE3
深圳市鸿鑫格电子科技有限公司
15625571107
SI4686DY-T1-GE3
深圳市上品电子有限公司
13590988529
SI4686DY-T1-GE3
深圳市百域芯科技有限公司
400-666-5385
查看更多SI4686DY-T1-GE3的供应商
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SI4682DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
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VJ1206Y563JBAAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206(3216 公制) CAP CER 0.056UF 50V 5% X7R 1206
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