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SI4564DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A，9.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V; 功率_最大：3.1W，3.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4564DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A，9.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V; 功率_最大：3.1W，3.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4564DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 40V 10A/9.2A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：40V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：10A，9.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：17.5 毫欧 @ 8A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：855pF @ 20V; 功率_最大：3.1W，3.2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

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