SI4542DY-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI4542DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 6.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4542DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:-
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 毫欧 @ 6.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:50nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:-
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 20V 14-SOIC
- 热缩管 TE Connectivity TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 HEAT SHRINK TUBING
- 配件 TE Connectivity 9-LBGA CLIP RETAINER 15.7MM RP78601/602
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10000PF 50V 5% RADIAL
- FET - 阵列 Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH COMPL 30V 8-SOIC
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 15K OHM 4 RES 1206
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AA,SMB TRANSIL 600W 15V UNIDIR SMB
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET 2N-CH 20V 7.3A/9.9A SO14
- 配件 TE Connectivity 9-LBGA RETAINING CLIP FOR 15.7MM RT78
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 120PF 50V 5% RADIAL
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AA,SMB TVS UNIDIR 600W 15V 5% SMB
- 网络、阵列 Rohm Semiconductor 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 20 OHM 4 RES 1206
- AC DC 转换器 TDK-Lambda Americas Inc SC-70,SOT-323 POWER SUPPLY IND 48V 2.1A 101W
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 15PF 50V 10% RADIAL