SI4501ADY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH HALF BRG 30V 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A,4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 8.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4501ADY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH HALF BRG 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A,4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 8.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
SI4501ADY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH HALF BRG 8SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A,4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 8.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4501ADY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A,4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 8.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:Digi-Reel®
SI4501ADY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A,4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 8.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4501ADY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N/P-CH 8-SOIC
- 系列:TrenchFET®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:N 和 P 沟道
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V,8V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:6.3A,4.1A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:18 毫欧 @ 8.8A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1.3W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:剪切带 (CT)
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 56POS WALL MNT W/PINS
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 8-DIP,4 引线(半尺寸) OSCILLATOR TTL PROG 5V ST
- FFC,FPC(扁平软线)- 连接器 - 面板安装 FCI 模块 CONN FPC/FFC 18POS .5MM R/A SMD
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 37 POS BOX MNT W/PINS
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 56 OHM 5W 5% WIREWOUND
- 钽 Kemet 2312(6032 公制) CAP TANT 10UF 16V 10% 2312
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 61POS WALL MNT W/PINS
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 8-DIP,4 引线(半尺寸) OSCILLATOR TTL PROG 5V ST
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 37 POS BOX MNT W/SCKT
- 通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 6.8 OHM 5W 5% WIREWOUND
- 钽 Kemet 2312(6032 公制) CAP TANT 10UF 16V 10% 2312
- 振荡器 - 可编程式 EPSON 8-DIP,4 引线(半尺寸) OSCILLATOR TTL PROG 5V ST
- FFC,FPC(扁平软线)- 连接器 - 面板安装 FCI 模块 SFV20R-1STE1-FFC/FPC CONN
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 19POS WALL MNT W/SCKT